[发明专利]超透镜薄膜结构的超分辨数字光盘有效
申请号: | 200610018281.9 | 申请日: | 2006-01-23 |
公开(公告)号: | CN1822150A | 公开(公告)日: | 2006-08-23 |
发明(设计)人: | 魏劲松;施宏仁;侯立松;干福熹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所;查黎 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/254;G11B7/257;G11B7/244 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种超透镜薄膜结构的超分辨数字光盘,包括超透镜薄膜2和盘基3,其特征在于:还有介电层1,它们依次为介电层1/超透镜薄膜2/盘基3,介电层1是氮化硅SiN或ZnS-SiO2;超透镜薄膜2是Ag、Au或Ag(x)Au(1-x)合金薄膜,其中x值在0-1之间变化;盘基3带有坑点,坑点尺寸小于380nm,最小坑点尺寸在200nm。该光盘结构,通过使用激光波长为650nm红光,数值孔径为0.60的光学头,实现信息坑点尺寸在200nm及其以上的动态读出。该光盘的单面单层容量达到12-15GB,双面单层的容量达到25-30GB。 | ||
搜索关键词: | 透镜 薄膜 结构 分辨 数字 光盘 | ||
【主权项】:
1、一种超透镜薄膜结构的超分辨数字光盘,包括超透镜薄膜2和盘基3,其特征在于:还有介电层1,它们依次为介电层1/超透镜薄膜2/盘基3,介电层1是氮化硅SiN或ZnS-SiO2;超透镜薄膜2是Ag、Au或Ag(x)Au(1-x)合金薄膜,其中x值在0-1之间变化;盘基3带有坑点,坑点尺寸小于380nm,最小坑点尺寸在200nm。
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