[发明专利]超快光开关用硫卤玻璃及其制备方法无效
| 申请号： | 200610018283.8 | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1817810A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陶海征;赵修建;肖海燕;林常规;董国平;毛舜 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C03C3/32 | 分类号： | C03C3/32 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超快光开关用硫卤玻璃。超快光开关用硫卤玻璃，其特征在于它主要由In2S3、MX、As2S3和GeS2原料制备而成，各原料所占摩尔％为：In2S3：20～35，MX：25～40，As2S3：4～10，GeS2：20－50，各原料含量之总和为100摩尔％；其中，MX为CsCl、CsBr、CsI中的任意一种或二种及二种以上的混合，二种及二种以上的混合时，为任意配比。本发明具有优良的综合品质，大的三阶非线性系数、在通讯波长处较小的非线性吸收、亚皮秒的超快光响应速度、较好的玻璃形成能力、较低的本征损耗、宽的透过窗口、较大的线性光学折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 超快光 开关 用硫卤 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.超快光开关用硫卤玻璃，其特征在于它主要由In2S3、MX、As2S3和GeS2原料制备而成，各原料所占摩尔％为：In2S3：20～35，MX：25～40，As2S3：4～10，GeS2：20-50，各原料含量之总和为100摩尔％；其中，MX为CsCl、CsBr、CsI中的任意一种或二种及二种以上的混合，二种及二种以上的混合时，为任意配比。
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