[发明专利]红外倍频硫系玻璃陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200610018763.4 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1837115A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陶海征;顾少轩;赵修建;肖海燕;董国平;林常规 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C03C3/32 | 分类号： | C03C3/32;C03C10/02 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于非线性光学玻璃材料及制备方法。红外倍频硫系玻璃陶瓷，其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制备而成，各原料所占摩尔％为：GeS250～90％，Ga2S35～25％，CdS 5～25％，各原料含量之总和为100摩尔％。其制备方法是：首先制备出硫系玻璃，而后在略高于玻璃转变温度和远低于玻璃晶化温度的范围内进行热处理，有效控制玻璃的核化和晶化过程，析出大量亚微米量级尺寸均匀的红外倍频晶体，从而制备出具有透红外和倍频功能的硫系玻璃陶瓷。该红外倍频硫系玻璃陶瓷具有宽的透过窗口(0.45～12μm)。本发明的方法具有工艺简单、生产周期短和易于制备出大尺寸样品等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 倍频 玻璃 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.红外倍频硫系玻璃陶瓷，其特征在于它主要由GeS2、Ga2S3和CdS原料制备而成，各原料所占摩尔％为：GeS2 50~90％，Ga2S3 5~25％，CdS 5~25％，各原料含量之总和为100摩尔％。
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