[发明专利]钛钴锑基热电半导体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200610019184.1 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1876283A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;谢文杰;张清杰 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | B22F3/105 | 分类号： | B22F3/105;H01L35/34 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430070湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钛钴锑基热电半导体材料的制备方法，具体是：将称量的钛粉、钴粉、锑粉或钛粉、锆粉、钴粉、锑粉，以无水乙醇为介质，在球磨机中球磨2～4小时；将球磨后的粉末置于真空干燥箱中干燥；将干燥后的粉末装入石墨模具中压实，然后连同模具一起移入放电等离子体烧结设备中，使之合成并烧结，冷却退模后即可。由于本发明采用SPS技术使钛钴锑基热电半导体材料的合成与烧结致密化一步完成，所制备材料的晶粒尺寸细小，将材料合成与烧结致密化统一起来，工艺简单，材料的利用率高，大大缩短了产品的生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 钛钴锑基 热电 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钛钴锑基热电半导体材料的制备方法，包括配料、混合、干燥、合成与烧结工序，其特征在于：钛钴锑基热电半导体材料是按照下述的放电等离子体快速合成与烧结致密化一步法制备的，(1)配料：按照化学式Ti1-xZrxCoSb的化学计量比，称取钛粉、钴粉和锑粉，或钛粉、锆粉、钴粉和锑粉，x＝0～0.5，(2)混合：将所称量的粉末以无水乙醇为介质，在球磨机中球磨2～4小时，(3)干燥：将球磨后的粉末在真空干燥箱中干燥，(4)合成与烧结：将干燥后的粉末装入石墨模具中压实，然后连同模具一起移入放电等离子体烧结设备中，使之合成并烧结，冷却退模后即得到钛钴锑基热电半导体材料。
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