[发明专利]一种微流芯片及利用微流芯片制备聚合物微球的方法有效
| 申请号： | 200610019354.6 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1884514A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 赵兴中;刘侃 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C12N11/08 | 分类号： | C12N11/08;A61K9/16 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微流芯片，包括合成沟道和两个流聚焦成球沟道，两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇，每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成，所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧，预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口，连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇。本发明还提供了利用上述微流芯片制备聚合物微球的方法：将两种连续相从两个流聚焦沟道的连续相沟道的输入口注入，将分散相分别从两个流聚焦沟道的分散相沟道注入，即从合成沟道出口得到聚合物微球。本发明可精确制作大小一致可控的聚合物微球。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 利用 制备 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微流芯片，包括连续相沟道和分散相沟道，其特征是：设有一个合成沟道和两个流聚焦成球沟道，两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇，每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成，所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧，预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口，连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇，分散相沟道的直径为30-500微米，连续相沟道的直径为30-500微米，预聚物微球沟道的输入口直径为30-200微米。
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