[发明专利]一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlXGa1－XN单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 200610019545.2 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1900386A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈长清 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/36;H01L21/205 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430223湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlxGa1－xN单晶薄膜的方法，0≤x≤1，在蓝宝石衬底材料与AlxGa1－xN单晶薄膜之间有着缓冲层，其特征在于：所述的缓冲层为两层，首先在衬底材料上生长一层厚度为2nm至8nm之间的低温AlN成核层，然后在低温AlN成核层上生长一层20nm至500nm之间的高温AlN层，最后在高温AlN层上生长AlxGa1－xN单晶薄膜；所述的低温是指生长温度在500℃－750℃，高温是指生长温度在1000℃－1200℃。该方法能有效降低AlxGa1－xN单晶薄膜的应力与缺陷密度，提高薄膜的晶体结构质量和表面平整度，提高材料的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 材料 外延 生长 al sub ga 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlxGa1-xN单晶薄膜的方法，0≤x≤1，在蓝宝石衬底材料与AlxGa1-xN单晶薄膜之间有着缓冲层，其特征在于：所述的缓冲层为两层，首先在衬底材料上生长一层厚度为2nm至8nm之间的低温AlN成核层，然后在低温AlN成核层上生长一层20nm至500nm之间的高温AlN层，最后在高温AlN层上生长AlxGa1-xN单晶薄膜；所述的低温是指生长温度在500℃-750℃，高温是指生长温度在1000℃-1200℃。
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