[发明专利]一种方镁石-碳化硅-碳复合材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610019553.7 申请日: 2006-07-06
公开(公告)号: CN1884202A 公开(公告)日: 2006-12-27
发明(设计)人: 李楠;魏耀武 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66;C04B35/04;C04B35/622
代理公司: 武汉开元专利代理有限责任公司 代理人: 樊戎
地址: 430081*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种方镁石-碳化硅-碳复合材料及其制备方法。其技术方案是:按重量百分含量将60~90%的电熔或烧结镁砂、5~35%的碳化硅、2~15%的石墨、0.5~5%的碳黑、0.5~6%的添加剂混合,外加上述混合物重量3~9%的结合剂和0~1%的六次甲基四胺为固化剂,经搅拌混合后压制成型,然后在150~350℃下烘烤2~24小时。本发明所制备的复合材料既具有高熔点又具有较高的导热率,采用碳化硅、石墨和碳黑相结合的方式大大提高了材料的抗氧化性和抗冶金熔渣、金属熔体的渗透性和侵蚀性,同时可以降低碳复合耐火材料对钢水碳含量的影响,因而可广泛用作冶金炉及容器的内衬。
搜索关键词: 一种 方镁石 碳化硅 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种方镁石—碳化硅—碳复合材料的制备方法,其特征在于按重量百分含量将60~90%的电熔或烧结镁砂、5~35%的碳化硅、2~15%的石墨、0.5~5%的碳黑、0.5~6%的添加剂混合,外加上述混合物重量3~9%的结合剂和0~1%的六次甲基四胺为固化剂,经搅拌混合后压制成型,然后在150~350℃下烘烤2~24小时。
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