[发明专利]微电子标准物质制备技术有效
申请号: | 200610019600.8 | 申请日: | 2006-07-11 |
公开(公告)号: | CN1885059A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
发明(设计)人: | 石坚;沈森祖;周红 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七○九研究所 |
主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00 |
代理公司: | 武汉金堂专利事务所 | 代理人: | 胡清堂 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种微电子标准物质制备技术,包括:制备途径、方法和措施;多通道容余测量技术;辅助硬件误差消除技术。优点是:利用本发明制备的微电子标准物质微电子量值不确定度小于2%,利用微电子标准物质及其量值可以进行:对集成电路测试设备进行量传,起到测试设备校准、比对和检定的作用;对同类集成电路进行量传,起到集成电路校准、比对和检定的作用;解决微电子量值溯源的技术手段和方法问题;奠定建立国防军工微电子量值溯源体系的技术基础;确保国防军工微电子量值测量的准确可靠;确保武器系统使用的集成电路的质量和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 微电子 标准 物质 制备 技术 | ||
【主权项】:
1、一种微电子标准物质制备技术,其特征在于:①制备途径、方法和措施:本项技术通过一定的手段和方法从现有集成电路中挑选参量量值满足一定不确定度要求的集成电路并对其进行定值,从而实现微电子标准物质制备,通过三温,即高温、低温、常温检测进行均匀性考核,被检样片在样片规定的温度,即高温、低温、常温条件下进行检验,特性参数量值均应在规定的不确定度范围之内,通过老化试验和规定时间间隔的检验进行稳定性考核,被检样片经过规定的环境条件下的静态老化、动态老化、温度冲击、检漏试验;每两月进行一次测量和检验;特性参数量值连续六次以上均应在规定的不确定度范围之内,利用集成电路测试系统,运用多通道容余测量技术、辅助硬件误差消除技术,对微电子标准物质参量进行测量和定值;②多通道容余测量技术:由于现代集成电路测试系统测试资源/仪表均是Per-pin结构或是多路结构,多通道容余测量技术的实质就是采用多通道或多仪表重复测量某个参量的技术,由此检验测量结果的分散性;③辅助硬件误差消除技术:在通常的集成电路测试系统校准中,是将量值计量到测试系统通道末端上,在实际测量当中,器件管脚不能直接接到通道末端,而需要通过器件夹具、测试辅助硬件再与通道末端相连接,测试辅助硬件是测试设备与被测样片连接的桥梁和纽带,它由测试接口板和测试夹具组成,它是集成电路测量误差的主要来源之一,测试辅助硬件误差消除技术是将测试辅助硬件连同测试设备一起校准,将量值计量到器件夹具,并将测试辅助硬件引入的误差进行测量和存储,在实际微电子参量测量过程中由测试设备自动根据误差进行修正。
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