[发明专利]一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的V－型缺陷的方法有效
| 申请号： | 200610019720.8 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1905222A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武;周瑾 |
| 地址： | 430223湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的V－型缺陷的方法，该材料依次有蓝宝石衬底层(1)，低温生长的GaN缓冲层(2)，高温生长的n－GaN层(3)，InyGa1－yN/GaN多量子阱层(5)，p－AlxGa1－xN/p－GaN层(6)，其特征在于：在高温生长的n－GaN层(3)和InyGa1－yN/GaN多量子阱层(5)之间，有生长的n－型AlxGa1－xN/GaN超晶格层(8)，其中0＜x＜1，生长温度介于1100℃－1200℃，压力介于30Torr－100Torr，AlxGa1－xN层厚度介于1nm至5nm之间，GaN层厚度介于1nm至5nm之间，周期数在5至10之间，掺杂浓度在1×1016cm－3至1×1018cm－3之间，和弱n－型掺杂GaN层(9)，生长温度为1150℃－1200℃，生长压力为30Torr至80Torr，厚度在1m至50nm之间，掺杂浓度在1×1016cm－3至5×1017cm－3之间。可以避免或减少V－型缺陷及由此产生的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 减少 蓝绿 发光二极管 材料 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的V-型缺陷的方法，该材料依次有蓝宝石衬底层(1)，低温生长的GaN缓冲层(2)，高温生长的n-GaN层(3)，InyGa1-yN/GaN多量子阱层(5)，p-AlxGa1-xN/p-GaN层(6)，其特征在于：在高温生长的n-GaN层(3)和InyGa1-yN/GaN多量子阱层(5)之间，有生长的n-型AlxGa1-xN/GaN超晶格层(8)，其中0＜x＜1，生长温度介于1100℃-1200℃，压力介于30Torr-100Torr，AlxGa1-xN层厚度介于1nm至5nm之间，GaN层厚度介于1nm至5nm之间，周期数在5至10之间，掺杂浓度在1×1016cm-3至1×1018cm-3之间，和弱n-型掺杂GaN层(9)，生长温度为1150℃-1200℃，生长压力为30Torr至80Torr，厚度在1nm至50nm之间，掺杂浓度在1×1016cm-3至5×1017cm-3之间。
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