[发明专利]一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200610019781.4 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1889274A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 方国家;何俊;李春;程彦钊 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人： | 刘荣 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法，该硅纳米线同质pn结二极管的pn结是用硼扩散工艺在n型导电硅片上扩散形成p型导电层，形成平面同质pn结，再用无电极金属电化学沉积法自组装形成的纳米结构为模板，在该平面pn结硅片上刻蚀形成纳米线，制备出的硅纳米线同质pn结。此pn结二极管制备方法的突出特点是：制备纳米线所需温度接近室温、设备简单、成本低廉、可大面积快速制备、工艺参数较易控制。所制备出的硅纳米线pn结阵列的正向开启电流密度和反向饱和电流密度相对于平面pn结均有所增大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 同质 pn 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米线同质pn结二极管，至少包括pn结和金属电极，其特征在于：pn结是用硼扩散工艺在n型导电硅片上扩散形成p型导电层，形成平面同质pn结，再用无电极金属电化学沉积法自组装形成的纳米结构为模板，在该平面pn结硅片上刻蚀形成纳米线，制备出的硅纳米线同质pn结。
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