[发明专利]半导体激光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610019857.3 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1858946A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 成演准;张泰勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323;H01S5/343;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中，第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上，脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧，第二电极层与所述脊部分的顶表面接触地形成，电流限制层形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层，保护层形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性，键合金属层与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管，包括：第一材料层、有源层、以及第二材料层，其顺序形成在衬底上；脊部分和第一凸出部分，其沿与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上，所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧；第二电极层，其与所述脊部分的顶表面接触地形成；电流限制层，其形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层；保护层，其形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性；以及键合金属层，其与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。
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