[发明专利]使用物理改性层的晶体管及其操作和制造方法无效
| 申请号： | 200610019859.2 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1832198A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 赵重来;柳寅儆;赵成逸 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种使用物理改性层的晶体管，一种操作该晶体管的方法，和一种制造该晶体管的方法。该晶体管包括在衬底上形成的绝缘层、第一和第二导电层图案、物理改性层、高介电层、和栅电极。第一和第二导电层图案在所述绝缘层上彼此分隔开。所述物理改性层形成在第一和第二导电层图案之间的绝缘层部分上。所述高介电层堆叠在物理改性层上，且所述栅电极形成在所述高介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 物理 改性 晶体管 及其 操作 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：衬底；绝缘层，形成在所述衬底上；第一导电层图案和第二导电层图案，在所述绝缘层上彼此分隔开；物理改性(physical property-changing)层，形成在所述第一和第二导电层图案之间的绝缘层上；高介电层，堆叠在所述物理改性层上；和栅电极，形成在所述高介电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610019859.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水环境中极性内分泌干扰物采样监测方法及装置
- 下一篇：D－丝氨酸制备的新方法
- 同类专利
- 专利分类
