[发明专利]一种制备聚合物光波导的方法及其专用直写装置无效
| 申请号： | 200610019923.7 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1932564A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 曾晓雁;王泽敏;李祥友;李金洪;董林红;朱大庆 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直写聚合物光波导的方法及其专用直写装置。首先在Si衬底上旋涂折射率为1.4－1.6聚合物材料作为下包层，或者生长5－8μm的SiO2作为下包层；再采用专用直写装置将折射率大于下包层的聚合物材料直写在下包层上，然后加热使其发生交联反应固化形成芯层；最后采用空气为上包层，或以折射率低于芯层的材料在芯层上旋涂形成上包层。专用直写装置为：气源通过气管与压力控制装置相连，压力控制装置通过施压气管与微细笔相连，用于控制施压气管中气流的通断和调节气压大小，并向微细笔的储料腔中的浆料提供所需的压力。本发明方法工艺简单，制作过程简单方便；本发明装置可缩短制作周期，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 聚合物 波导 方法 及其 专用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制备聚合物光波导的方法，其步骤包括：(1)在Si衬底上旋涂厚度为5-8μm的聚合物材料作为下包层，或者在Si衬底上生长一层厚度为5-8μm的SiO2作为下包层，聚合物材料的折射率为1.4-1.6；(2)采用专用直写装置根据所设计的芯层图案按照轨迹将另一种聚合物材料直写在下包层上；(3)在真空条件下，将该聚合物材料加热使其发生交联反应，固化形成芯层；该聚合物材料的粘度范围为2Pa·s～200Pa·s，其折射大于下包层材料的折射率；(4)采用空气作为上包层，或以折射率低于芯层的材料在芯层上旋涂形成上包层。
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