[发明专利]一种光敏性二胺及其制备方法无效
申请号: | 200610020875.3 | 申请日: | 2006-05-23 |
公开(公告)号: | CN1850780A | 公开(公告)日: | 2006-10-25 |
发明(设计)人: | 杨长生;戴基智;李元勋;韩莉坤 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C07C211/51 | 分类号: | C07C211/51;C07C229/54;C07C221/00;G03F7/004 |
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地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种光敏性二胺及其制备方法,属于材料技术领域中的感光性小分子功能材料,可用于合成光刻胶重要组分的光敏聚酰亚胺(PSPI)材料。所述光敏性二胺主要成分的化学结构式为(见图),其中A为含芳香环的基团,Y为含“烷基取代的丙烯酰基、丙烯酸酯或烯丙基”的酯基、取代酰胺基、或醚基。所述光敏性二胺的制备方法是以含二硝基的酰氯与不饱和醇或不饱和胺反应生成相应的酯或酰胺,然后用还原铁粉对含光敏基团的二硝基化合物进行还原后得到。本发明的光敏性二胺具有较高密度的光敏活性基团,同时这些光敏基团均能与曝光波长相匹配,使得感光灵敏度得到大幅度提高,可用于制备高光敏性和分辨率性能的光敏聚酰亚胺材料。所述制备方法简单、容易控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 光敏 性二胺 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种光敏性二胺,其特征在于,其主要成分的化学结构式为:其中A为含芳香环的基团,其化学表达式可以是:Y为酯基、取代酰胺基、或醚基,其化学表达式为:其中,R为烷基取代的丙烯酰基、丙烯酸酯或烯丙基,其化学表达式可以是:R’可以是烷基(n=1-25)、H、芳基或烯烃基。
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