[发明专利]一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法

摘要

一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及氧化物电极与PZT薄膜生长取向的薄膜电容的制备。首先采用激光蒸发沉积法在MgO(100)基片上沉积LNO底电极；然后采用射频磁控溅射法在LNO底电极薄膜上沉积PZT铁电薄膜；接着采用直流磁控溅射法在PZT铁电薄膜上沉积Pt上电极；最后对PZT薄膜进行快速晶化处理。本发明制备的PZT铁电薄膜材料中，LNO和PZT同为(110)取向，PZT剩余极化达23.5μC/cm²－35.8μC/cm²，矫顽场达76.3kV/cm－120kV/cm，电滞回线形状饱和；LNO底电极表面光滑，颗粒均匀；PZT薄膜介电常数达200－570，损耗为5％－45％，经过10⁸次反转，饱和极化和剩余极化分别只下降6％和12％，抗疲劳特性高于Pt底电极的PZT薄膜，漏电流密度达10^－9A数量级，可用于薄膜电容器、铁电存储器等。

主权项

1、一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1)、采用激光蒸发沉积法在MgO(100)基片上沉积LNO底电极薄膜；步骤2)、采用射频磁控溅射法在步骤1)所得的LNO底电极薄膜上沉积PZT铁电薄膜；步骤3)、采用直流磁控溅射法在步骤2)所得的PZT铁电薄膜上沉积Pt金属上电极薄膜；步骤4)、快速晶化处理PZT薄膜。