[发明专利]非平面芯片及碲化太阳能电池无效
| 申请号： | 200610021065.X | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101017857A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 雷加良 | 申请（专利权）人： | 雷加良 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/048;H01L31/052 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611230四川省崇州市崇*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 非平面芯片及碲化太阳能电池，属于将太阳光能直接转换为电能的光电技术领域。本发明先将电池基片处理成所需非平面结构，并在其上面制备电池薄膜的材料中至少采用一种碲(Te)的化合物半导体材料，使之直接成为非平面芯片的碲化太阳能电池。该电池能让太阳在每天东升西落过程中，由不同方向照射到电池表面的阳光，都能得到最大限度的吸收和光电能量的转换，且生产成本低，有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 芯片 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1、非平面芯片及碲化太阳能电池，由框架结构(1)非平面基片(2)和电池薄膜(5)透明保护膜(6)及电池背板(7)组成。其特征在于：电池薄膜(5)附着在非平面基片(2)的表面，使电池芯片表面为非平面结构，并在制作该芯片电池薄膜(5)的材料中采用了碲化物半导体材料。
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