[发明专利]一种高纯球形晶质纳米SiO2材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200610021538.6 申请日: 2006-08-04
公开(公告)号: CN1958448A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: 林金辉;刘菁;叶巧明;汪灵 申请(专利权)人: 成都理工大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610059四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及以天然粉石英为基本原料,通过氢氟酸与硫酸混合酸溶蚀技术和机械强力搅拌处理,制备了高纯球形晶质纳米SiO2材料,属于无机非金属材料领域。制备的高纯球形晶质纳米SiO2材料为纯结晶SiO2相,粒子呈球形,球化率达80~95%,粒径为30nm~80nm;SiO2百分含量达99.85~99.95wt%。杂质含量为:0.01~0.02wt%Al;25~35ppm Fe;1ppmMg;2ppm Ca;0.001-0.009wt%Cl。本发明制备的高纯球形晶质纳米SiO2材料可用作电子电器、电工、塑料、橡胶产品的高品质填料。
搜索关键词: 一种 高纯 球形 纳米 sio sub 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种以天然粉石英为基本原料,通过氢氟酸与硫酸混合酸溶蚀技术和机械强力搅拌处理,制备高纯球形晶质纳米SiO2材料的方法。制备的高纯球形晶质纳米SiO2材料可用作电子电器、电工、塑料、橡胶产品的高品质填料。
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