[发明专利]一种高Qm的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其中频谐振器有效
申请号: | 200610021822.3 | 申请日: | 2006-09-12 |
公开(公告)号: | CN1919791A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 朱建国;陈强;肖定全;陈林;余萍 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;H01L41/187;H03H9/15 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人: | 刘双兰 |
地址: | 610064四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种高Qm的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及用该陶瓷制作的中频谐振器。该无铅压电陶瓷组成成分以式(NaxK1-x+δ)Nb1+zO3+wmolCuO表示,式中0≤x≤1,0≤δ≤0.1,0≤z≤0.2,0≤w≤0.1;所述中频陶瓷谐振器的中心频率为455kHz,与目前应用的铅基压电陶瓷中频谐振器中心频率一致,其带宽Bw在10kHz~25kHz,谐振阻抗Zr<300Ω。本发明压电陶瓷组合物不含铅,且具有高Qm、高居里温度Tc和优异的谐振特性、压电/介电特性,陶瓷致密性好,机电耦合系数在较大范围内可调等特点;用该陶瓷组合物制作的谐振器在起振电压范围内频率稳定性好,可广泛应用于电子电气设备中。 | ||
搜索关键词: | 一种 sub 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 中频 谐振器 | ||
【主权项】:
1.一种具有高机械品质因子(Qm)的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,其特征在于,所述的高Qm的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的组成成分由通式(NaxK1-x+δ)Nb1+zO3+wmolCuO表示,式中0≤x≤1,0≤δ≤0.1,0≤z≤0.2,0≤w≤0.1。
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