[发明专利]一种高Qm的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其中频谐振器有效

专利信息
申请号: 200610021822.3 申请日: 2006-09-12
公开(公告)号: CN1919791A 公开(公告)日: 2007-02-28
发明(设计)人: 朱建国;陈强;肖定全;陈林;余萍 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;H01L41/187;H03H9/15
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 代理人: 刘双兰
地址: 610064四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高Qm的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及用该陶瓷制作的中频谐振器。该无铅压电陶瓷组成成分以式(NaxK1-x+δ)Nb1+zO3+wmolCuO表示,式中0≤x≤1,0≤δ≤0.1,0≤z≤0.2,0≤w≤0.1;所述中频陶瓷谐振器的中心频率为455kHz,与目前应用的铅基压电陶瓷中频谐振器中心频率一致,其带宽Bw在10kHz~25kHz,谐振阻抗Zr<300Ω。本发明压电陶瓷组合物不含铅,且具有高Qm、高居里温度Tc和优异的谐振特性、压电/介电特性,陶瓷致密性好,机电耦合系数在较大范围内可调等特点;用该陶瓷组合物制作的谐振器在起振电压范围内频率稳定性好,可广泛应用于电子电气设备中。
搜索关键词: 一种 sub 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 中频 谐振器
【主权项】:
1.一种具有高机械品质因子(Qm)的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,其特征在于,所述的高Qm的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的组成成分由通式(NaxK1-x+δ)Nb1+zO3+wmolCuO表示,式中0≤x≤1,0≤δ≤0.1,0≤z≤0.2,0≤w≤0.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610021822.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top