[发明专利]一种亚纳米级氧化钴的生产方法无效

专利信息
申请号: 200610021974.3 申请日: 2006-09-29
公开(公告)号: CN1931727A 公开(公告)日: 2007-03-21
发明(设计)人: 王冰凌 申请(专利权)人: 自贡金丰新材料科技有限公司
主分类号: C01G51/04 分类号: C01G51/04
代理公司: 成都立信专利事务所有限公司 代理人: 詹福五
地址: 643000*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于高纯度、亚纳米级氧化钴的生产方法。包括配制钴盐溶液、碳酸氢铵溶液及草酸铵溶液,制备碳酸钴与草酸钴混合浆料,过滤、洗涤,焙烧及分选。该发明在引入表面活性剂解决草酸钴颗粒大的基础上采用碳酸钴和草酸钴的混合浆料作基料,利用草酸钴的“桥架”及促滤作用解决了单纯碳酸钴料浆难以通过洗涤除杂,并采用去离子水洗涤除去碱金属及碱土金属离子,同时提高了焙烧时物料的通透性。因而具有所生产产品纯度高、粒度细,粒度的均匀性及纯度与粒度的一致性好,生产过程中对体系内、外进入的杂质的清除能力强、成品率及生产效率高,经济效益显著,可充分满足各类电子元件的生产要求等特点。
搜索关键词: 一种 纳米 氧化钴 生产 方法
【主权项】:
1、一种亚纳米级氧化钴的生产方法,其方法包括:A、配制钴盐溶液:采用硫酸或硝酸将金属钴溶解并将溶液中的钴含量调至70~150g/L、游离酸控制在12g/L以下,然后将该溶液按1∶1的比例分别送入两个带搅拌器的反应釜内,待用;B、配制碳酸氢铵及草酸铵溶液:a、将碳酸氢铵溶于去离子水中,配成浓度为15~40wt%的水溶液;b、将草酸溶于50~95℃温度的去离子水中并将其密度调至1.1~1.4g/cm3 后,加入氨液将PH值调至4.0~5.0,搅拌降温至20~30℃;C、制备碳酸钴与草酸钴混合浆料:a、制备碳酸钴浆料:在搅拌条件下向A工序配制待用的任一反应釜内的钴盐溶液中加入钴含量0.5~10wt%的非离子表面活性剂,然后匀速加入由B.a工序配制的碳酸氢铵水溶液,继续搅拌反应3~20分钟,并将浆料终点PH值控制在3.5~7.5;b、制备草酸钴浆料:向另一反应釜内的钴盐溶液中加入钴含量0.5~15wt%的阳离子表面活性剂,搅拌均匀后匀速加入由B.b工序配制的草酸铵溶液,亦搅拌反应3~20分钟,控制浆料终点PH值至3.5~5.0;然后将a、b工序制得的浆料充分混合,得碳酸钴与草酸钴混合浆料;D、过滤、洗涤:将上述混和浆料过滤后,用60~90℃的去离子水洗涤3~9次,过滤得碳酸钴与草酸钴混合料;E、焙烧:将由D工序所得混合料置于焙烧炉中,在300~450℃温度下焙烧3~10小时,然后随炉冷却即得氧化钴粉末;F、分选:将焙烧所得氧化钴粉末送入风选机内,根据用途要求风选分级至费氏粒度0.3~0.5μm即成。
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