[发明专利]在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法及设备无效
| 申请号： | 200610022062.8 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101165205A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 甘国工 | 申请（专利权）人： | 甘国工 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人： | 江晓萍 |
| 地址： | 610100四川省成都市龙泉驿区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法，该方法是在200～400℃范围对太阳能电池片进行加温情况下，在磁控溅射镀膜工作室中充入反应性气体氮气，同时充入氨气，利用旋转的孪生中频靶对其磁控溅射，同时利用等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置对充入反应气体氮气进行闭环流量控制，用质量流量计控制氨气流量，在电池片上沉积掺氢氮化硅的抗反射钝化膜。该生产方法沉积氮化硅安全可靠。本发明还提供了一种在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备，该设备采用了中频孪生反应磁控溅射装置和PEM闭环平衡控制装置，确保了工艺的稳定性，提高了沉积效率，沉积氮化硅产量高、低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 片上镀抗 反射 钝化 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法，其特征在于该方法是在200～400℃范围对太阳能电池片进行加温情况下，在磁控溅射镀膜工作室中充入反应性气体氮气，同时充入氨气，利用旋转的孪生中频靶对其磁控溅射，同时利用等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置对充入反应气体氮气进行闭环流量控制，用质量流量计控制氨气流量，在电池片上沉积掺氢氮化硅的抗反射钝化膜。
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