[发明专利]多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件无效
| 申请号： | 200610022263.8 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1964069A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;易黎;张磊 | 申请（专利权）人： | 四川绵阳信益科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621000四川省绵阳市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规VDMOS中引入了pn结形成的二极管来耐压和泄放ESD电流。所述pn结由栅/源引出端之间的多晶硅掺杂和体硅掺杂区形成。本发明通过多晶硅/体硅ESD保护结构来承受ESD加在氧化层上的电压，泄放ESD引起的电流，避免器件氧化层介质击穿和器件来流熔化、二次击穿，从而大大提高了器件抗ESD能力。采用本发明还可以制作更多的具有高可靠性及更易操作性的抗ESD功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 体硅 esd 结构 保护 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
1、多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，如图4所示，包括漏极1，n+(或p+)衬底区2，n-(或p-)外延层3，p(或n)区4，n+(或p+)区5，p+(或n+)区6，二氧化硅层7，掺n(或p)的多晶硅层8，源极9，栅极10。其特征是其掺n(或p)的多晶硅层8部分进入衬底区，利用栅/源引出端之间的多晶硅掺杂和体硅掺杂区的pn结形成的二极管作为器件的ESD保护结构。
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