[发明专利]一种原位生长碳纳米管化学修饰电极的制备方法无效
| 申请号： | 200610022326.X | 申请日： | 2006-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1987443A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 江奇;宋利君;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种原位生长碳纳米管化学修饰电极的制备方法，其做法为：在固体电极表面上或表面浅层，用浸渍法、磁控溅射法或电镀法制备并附着用于生长碳纳米管的催化剂；然后使碳源在附着有催化剂的电极上原位生长成碳纳米管。利用这种方法制备的碳纳米管化学修饰电极的电化学性能和检测性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 纳米 化学 修饰 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种原位生长碳纳米管化学修饰电极的制备方法，其做法为：在固体电极表面上或表面浅层，用浸渍法、磁控溅射法或电镀法制备并附着用于生长碳纳米管的催化剂；然后使碳源在附着有催化剂的电极上原位生长成碳纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610022326.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
