[发明专利]纯碳纳米管薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610022327.4 | 申请日： | 2006-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1962429A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 江奇;蔡玉冬;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纯碳纳米管薄膜的制备方法，其做法是：采用电纺丝法或溶液喷丝法，将碳纳米管与分散剂的混合液喷射至接收板上；然后通过加热使分散剂挥发，或用蒸馏水洗涤去除分散剂，即可。其制备过程简单，制作成本低，制得的纯碳纳米管薄膜材料导电性能好、内阻低、碳纳米管的利用率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纯碳纳米管薄膜的制备方法，其做法是：采用电纺丝法或溶液喷丝法，将碳纳米管与分散剂的混合液喷射至接收板上；然后通过加热使分散剂挥发，或用蒸馏水洗涤去除分散剂，即可。
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