[发明专利]一种a－b取向ZnO纳米线阵列的制备方法

摘要

一种具有a－b取向的ZnO纳米线阵列的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及宽禁带半导体ZnO发光材料，特别涉及ZnO纳米线阵列的制备方法。本发明采用化学气相沉积技术，以纯ZnO粉末为蒸发源，采用蓝宝石A1₂O₃(110)作为衬底，控制蒸发源的温度不低于ZnO粉末的热分解温度，控制衬底温度不低于750℃，真空度在200－300托，传输气体采用Ar气，气流量为35sccm，使ZnO粉末受热分解为Zn和O，再通过氩气传输，在基片上沉积生长a－b取向ZnO纳米线阵列。本发明利用现有的化学气相沉积技术，可方便地制备出具有a－b取向的ZnO纳米线阵列，所得到的a－b取向的ZnO纳米线阵列具有优良的紫外光敏感特性和快的光响应速度。

主权项

1、一种具有a-b取向的ZnO纳米线阵列的制备方法，采用化学气相沉积技术，以纯ZnO粉末为蒸发源，采用蓝宝石Al2O3作为衬底，控制蒸发源的温度不低于ZnO粉末的热分解温度，控制衬底温度不低于750℃，真空度在200-300托，传输气体采用Ar气，气流量为35sccm，使ZnO粉末受热分解为Zn和O，再通过氩气传输，在基片上沉积生长a-b取向ZnO纳米线阵列，其特征是，所述蓝宝石Al2O3衬底为Al2O3(1120)。