[发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 200610022726.0 | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101017854A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 周伟;靳翀;杜江锋;罗谦;夏建新;于奇;杨谟华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 盛明洁 |
| 地址： | 610054四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件，特别涉及氮化镓基高电子迁移率晶体管。它是由衬底7上依次形成的成核层6、高电阻半导体层5和能带比高电阻半导体层5宽的势垒层4，以及势垒层4上的源极1、栅极2和漏极3，其中源极1、漏极3与势垒层4形成欧姆接触，栅极2与势垒层4形成肖特基接触。其特征是，它还包括一层位于势垒层上、栅极和漏极之间有一层高介电系数材料层8，以改善其下高电阻半导体层5和势垒层4内部的电场分布，提高栅漏之间击穿所需的电压，从而扩展了氮化镓基高电子迁移率晶体管的输出功率范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底(7)上依次形成的成核层(6)、高电阻半导体层(5)和能带比高电阻半导体层(5)宽的势垒层(4)，以及势垒层(4)上的源极(1)、栅极(2)和漏极(3)，其中源极(1)、漏极(3)与势垒层(4)形成欧姆接触，栅极(2)与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于势垒层(4)上、栅极(2)和漏极(3)之间的高介电系数材料层(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610022726.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
