[发明专利]利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法

摘要

本发明公开了一种用于静电放电保护的系统和方法。该系统包括多个晶体管。这多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域。多个源极区域和多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，并且有源区至少与衬底中的隔离区域相邻。另外，该系统包括多晶硅区域。多晶硅区域经由介电层与衬底相隔离，并且多晶硅区域与多个栅极区域中的每一个交叉。多晶硅区域的至少一部分在有源区上。

主权项

1.一种用于静电放电保护的系统，所述系统包括：多个晶体管，所述多个晶体管包括多个栅极区域、多个源极区域和多个漏极区域，所述多个源极区域和所述多个漏极区域位于衬底中的有源区内部，所述有源区至少与所述衬底中的隔离区域相邻；一个多晶硅区域，所述多晶硅区域经由一个介电层与所述衬底相隔离，所述多晶硅区域与所述多个栅极区域中的每一个交叉；其中所述多晶硅区域的至少一部分在所述有源区上。