[发明专利]堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610023207.6 | 申请日： | 2006-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101000929A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 杨濬哲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新的堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器及其制造方法。本发明的堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器具有堆叠栅结构，其中的浮栅构成厚度不同的两个区域，在区域中，一个区域注入氮离子，在热氧化过程中，注入了氮离子的区域的氧化物生长速度慢，形成比较薄的氧化物层区域；而另一个区域没有注入氮离子，因此形成比较厚的氧化物层，两个氧化物层厚度不同的区域之间的界面处产生强横向电场，使电子容易从源一侧向浮栅注入，提高了存储单元的读写速度。本发明的堆叠栅－源一侧电子注入闪存储器既具有现有的堆叠栅闪存储器集成高的优点，还具有分栅闪存储器读写速度快的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 一侧 电子 注入 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.堆叠栅-源一侧电子注入闪存储器，包括堆叠栅结构单元，其特征是，所述的堆叠栅结构中的浮栅下包括两个厚度不同的氧化物区域，即，燧道氧化物层厚度比较薄的区域A和栅下氧化物层厚度比较厚的区域B，在堆叠栅结构上加电压时，区域A与区域B之间的界面处形成大的横向电场。
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