[发明专利]在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法无效
| 申请号： | 200610023238.1 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1794086A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 侯中宇;蔡炳初;徐东;张亚非 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微细加工技术领域的在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法，首先制备碳纳米管薄膜，然后制备感光材料图形，最后进行反应离子辅助等离子体增强气相沉积，即使用反应离子辅助等离子体刻蚀技术刻蚀碳纳米管薄膜，同时利用形成的复合等离子体在感光材料层表面形成新的碳基纳米结构，所使用的刻蚀气体，必须能够依靠物理轰击、化学反应或者两者的综合作用刻蚀碳纳米管，即能够将碳纳米管分解成为碳基纳米颗粒，从而形成复合等离子体。本发明形成的碳基纳米结构与基体可以有很好的结合力，很好的垂直取向性和密度、高度的一致性，同时，其密度、长度可以被控制，并适于加工实现阵列化设计和批量生产，因此有着广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 感光材料 表面 覆盖 图形 化碳基 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在感光材料表面覆盖并图形化碳基纳米结构的方法，其特征在于，首先制备碳纳米管薄膜，然后制备感光材料图形，最后进行反应离子辅助等离子体增强气相沉积，即使用反应离子辅助等离子体刻蚀技术刻蚀碳纳米管薄膜，同时利用形成的复合等离子体在感光材料层表面形成新的碳基纳米结构，所使用的刻蚀气体，必须能够依靠物理轰击、化学反应或者两者的综合作用刻蚀碳纳米管，即能够将碳纳米管分解成为碳基纳米颗粒，从而形成复合等离子体。
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