[发明专利]提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法无效
| 申请号： | 200610023277.1 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1825540A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 魏光普;史伟民;邱永华;葛艳辉 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18;C23C14/24 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，属半导体薄膜制备及改性处理技术领域。本发明方法具有以下工艺过程和步骤：(1)在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt％的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；(2)然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10－4pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终可在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 硫化 半导体 薄膜 电导率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高硫化锡半导体薄膜电导率的方法，其特征在于具有以下的过程和步骤：a.在高纯度的硫化锡粉末中掺加入0.2～1.2wt％的金属锑粉，并进行充分的研磨和混合；b.然后将上述混合料放于钼舟中，在真空镀膜机内进行蒸发制膜，真空蒸发过程中的工艺参数为：真空度1.5～2.0×10-4Pa、基片与蒸发源的距离10cm、蒸发源温度1100℃，最终在基片上获得高电导率的硫化锡半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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