[发明专利]调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法无效
| 申请号： | 200610023448.0 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1804113A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡珣;徐晔;陈秋龙;沈耀;胡亚威 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/56;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti－Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti－Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa－0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti－Si－N纳米复合膜。本发明可以简化原有的工艺方法，仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能，具有较强的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 磁控溅射 反应 气体 压制 ti si 方法 | ||
【主权项】：
1、一种调节磁控溅射反应气体分压制备Ti-Si-N膜的方法，其特征在于，采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti-Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti-Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa-0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti-Si-N纳米复合膜。
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