[发明专利]硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 200610023691.2 | 申请日: | 2006-01-26 |
公开(公告)号: | CN1807347A | 公开(公告)日: | 2006-07-26 |
发明(设计)人: | 张国军;阚艳梅;王佩玲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/645;C04B35/65 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法,其特征在于利用聚碳硅烷裂解时生成的碳化硅的活性,在1700~1900℃温和温度下热压制备致密的硼化物—碳化硅复合陶瓷;所述硼化物主要包括硼化锆,硼化钛和硼化铪;这种工艺不需添加其他助烧剂,保证了材料的高温性能;在制备过程中加入1-12wt%的硅,锆,钛,铪等金属粉末,或者这些金属粉末的任意组合,以吸收聚碳硅烷裂解过程中的残留碳,则可以提高复合材料的致密度,改善材料的力学性能;获得的材料的显微结构特征是,聚碳硅烷裂解生成的活性碳化硅包裹在硼化物如硼化锆颗粒的表面,并在温和温度下结合硼化物颗粒。 | ||
搜索关键词: | 硼化物 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硼化物-碳化硅复相陶瓷,其特征在于:①由聚碳硅烷裂解产生的活性碳化硅产物包裹在硼化物颗粒的表面,在热压过程中结合硼化物颗粒;裂解产生的碳化硅颗粒和残留碳分布在界面处,而内部为硼化物的晶粒;②在制备过程中加入重量百分数为1-12%的硅,锆,钛和铪任意一种金属粉末或它们的任意组合生成碳化硅、碳化锆、碳化钛和碳化铪,或这些碳化物的任意组合分布在界面处,而内部为硼化物的晶粒。
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