[发明专利]分离的双栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 200610023748.9 | 申请日： | 2006-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101017848A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;陈国庆;陈良成;李若加 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦;杨红梅 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有至少两个栅区的半导体器件。所述器件包括提供：包括表面的衬底、衬底中的源区和衬底中的漏区。所述漏区和源区彼此分开。另外，所述器件包括在表面上的第一栅区、在表面上的第二栅区以及在表面上及第一栅区和第二栅区之间的绝缘区。所述第一栅区和第二栅区由所述绝缘区分开。第一栅区能够在衬底中形成第一沟道。所述第一沟道是从源区到漏区。第二栅区能够在衬底中形成第二沟道。所述第二沟道是从源区到漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种具有至少两个栅区的半导体器件，所述器件包括：包括表面的衬底；所述衬底中的源区；所述衬底中的漏区，所述漏区和源区彼此分开；在所述表面上的第一栅区；在所述表面上的第二栅区；在所述表面上及所述第一栅区和第二栅区之间的绝缘区；其中：所述第一栅区和第二栅区由所述绝缘区分开；所述第一栅区能够在所述衬底中形成第一沟道，所述第一沟道从所述源区到漏区；所述第二栅区能够在所述衬底中形成第二沟道。所述第二沟道从所述源区到漏区。
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