[发明专利]基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法

摘要

一种微电子技术领域的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜和刻蚀FeCuNbSiB磁性薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀连接导体；去正胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀顶层线圈和引脚；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；磁场退火。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。

主权项

1、一种基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)、在清洗处理过的玻璃衬底单面溅射Cr/Cu底层，甩正胶、曝光、显影，刻蚀Cr/Cu底层；去光刻胶，溅射氧化铝薄膜，得到双面套刻对准符号；(2)、在衬底的另一面淀积Cr/Cu底层，下面工艺均在此面上进行；(3)、甩正胶，双面套刻曝光、显影，得到底层线圈图形；电镀底层线圈；甩正胶，双面套刻曝光与显影，电镀铜连接导体；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；(4)、溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；(5)、溅射Cr种子层，溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜；甩正胶，双面套刻曝光与显影，刻蚀FeCuNbCrSiB磁性薄膜，去正胶；(6)、溅射Cr/Cu底层；甩正胶，双面套刻曝光与显影；电镀连接导体；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；(7)、溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；(8)、溅射Cr/Cu底层；甩正胶，双面套刻曝光与显影；电镀顶层线圈；甩正胶，双面套刻曝光与显影；电镀引脚；去除光刻胶，刻蚀Cr/Cu底层；(9)、溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；将得到的微电感器件在真空炉中磁场退火。