[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200610023985.5 | 申请日： | 2006-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101026121A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在衬底上生长氧化层；在氧化层上利用光刻胶形成光刻掩膜图形；利用光刻掩膜图形定位有源区和隔离区；向隔离区中注入碳原子；除去光刻胶以后，对衬底进行中高温退火，使注入的碳原子均匀分布从而形成隔离结构。本发明的半导体隔离结构包括衬底和在衬底上形成的有源区；在有源区之间形成的隔离区；隔离区中包含注入的离子化碳原子。本发明的隔离结构称为碳离子注入隔离结构(CIII：carbon ion implantation isolation)，缩写为CI3，其表面电阻极高，且宽度为纳米级，表面平坦程度很高，从而大大提高了有源区之间的隔离性能，在半导体器件中采用本发明的隔离结构非常有利于深亚微米至纳米级器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上生长绝缘层；在绝缘层上形成光刻胶掩膜；图案化光刻胶掩膜，从而在绝缘层表面定位第一区域和第二区域；向第一区域中注入粒子；除去光刻胶；对衬底进行退火，使注入的粒子均匀分布从而形成隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
