[发明专利]掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200610024095.6 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1831084A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 夏长泰;张俊刚;徐军;周国清;吴锋;裴广庆;吴永庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用作GaInN基蓝光半导体外延生长的掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法。该掺稀土元素的氧化镓荧光衬底单晶体的分子式为：β－Ga2－2x (RE)2xO3，其中RE＝Ce或Tm，x＝0.001～0.1。该晶体采用浮区法进行生长。该荧光衬底适合于外延生长高质量GaInN基蓝光半导体薄膜，与GaInN基蓝光相结合能实现发光二极管的白光发射。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土元素 氧化 荧光 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺稀土元素的氧化镓荧光衬底单晶体，其特征在于该衬底单晶体的分子式为：β-Ga2-2x(RE)2xO3，其中RE为铈Ce或铥Tm，x＝0.001～0.1。
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