[发明专利]背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法无效
| 申请号： | 200610024490.4 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1815275A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 周常河;王博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B27/28;G03H1/04;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅及其制备方法，特点是该光栅的周期为356～364纳米、刻蚀深度为1.015～1.025微米，光栅的占空比为1/2。本发明偏振分束光栅的消光比大于100，TE偏振光的0级反射衍射效率和TM偏振光的1级反射衍射效率分别高于99.08％和99.67％，本发明的背入射式石英反射偏振分束器光栅，具有很高的消光比和反射效率，不需要考虑光栅槽形的结构，也不必镀金属膜或介质膜，利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，是一种重要的偏振分束器。 | ||
| 搜索关键词： | 入射 石英 反射 偏振 光栅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于800纳米波段的背入射式石英反射偏振分束光栅，其特征在于该光栅的周期为356～364纳米、刻蚀深度为1.015～1.025微米，光栅的占空比为1/2。
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