[发明专利]铝酸锂晶片的氮化方法无效
| 申请号： | 200610024585.6 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1844491A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 邹军;周圣明;黄涛华;王军;周健华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/38;C04B41/85 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铝酸锂晶片的氮化方法，该方法的具体工艺包括：将经过化学机械抛光的具有较好表面的铝酸锂晶片放入马弗炉的石英管或钢管中，打开氮化源气路，调节气压至超过大气压0.005－0.05MPa并在石英管流动；马弗炉按100℃/小时的升温速率升温至800－1000℃，保温5－25分钟，然后按照100℃/小时的速率降温至室温；从马弗炉取出氮化的铝酸锂晶片。经本发明方法处理后，提高了化学机械抛光后的铝酸锂晶片的热稳定性和表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 铝酸锂 晶片 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铝酸锂晶片的氮化方法，其特征在于该方法的具体工艺流程如下：<1>将经过化学机械抛光的具有较好表面的铝酸锂晶片放入马弗炉的石英管或钢管中，打开氮化源气路，调节气压至超过大气压0.005-0.05MPa并在石英管或钢管中流动；<2>马弗炉按100℃/小时的升温速率升温至800-1000℃，保温5-25分钟，然后按照100℃/小时的速率降温至室温；<3>从马弗炉取出氮化的铝酸锂晶片。
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