[发明专利]相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200610024614.9 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1845339A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;冯高明;刘波;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法：直接利用氧化硅片作为衬底(栅极)/绝缘层的结构，再在该衬底上方制备源、漏电极，通过剥离沉积的相变材料薄膜形成简单的相变薄膜场效应晶体管单元器件。该方法制备工艺极其简单，成本低廉，有利于提高生产效率，降低成本，从而推动相变薄膜场效应晶体管的实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 薄膜 场效应 晶体管 单元 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变薄膜场效应晶体管单元器件，在普通的硅衬底上沉积栅极，或直接利用氧化硅片作栅极，在栅极上沉积绝缘层，然后在绝缘层上沉积电极，并经曝光和刻蚀工艺制备出源电极和漏电极，其特征在于最后在源电极和漏电极之间沉积相变薄膜材料。
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