[发明专利]一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法

摘要

本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(650～800℃)。真空度为用MBE法生长氮化物外延层的典型真空度(生长室背景压力约为10^－9torr，通入氮等离子体时压力为8*10^－5torr。)。该方法不仅改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使表面的氮空位得到了补充，相当于在去除受损表面时重新生长了一个薄层的氮化物外延层，从而使受损GaN基材料的电学和光学特性得到回升。

主权项

1.一种因干法刻蚀受损伤的GaN基材料的回复方法，其特征在于它是一种在高真空室中采用热退火与氮等离子体处理相结合的方法，其工艺步骤是：(a)在干法刻蚀工艺中受损的GaN置入固态源分子束外延的生长室，生长室背景压力为10-9乇；(b)衬底经15min时间由初始温度50℃升温至该分子束外延的设备外延生长GaN的650-800℃。升温期间通入N2，但关闭挡板使GaN不与N2接触；(c)温度升至650-800℃后，射频电路开始工作，产生等离子体氮，同时打开挡板使GaN表面与等离子体氮接触反应，等离子体氮处理60s之后关闭射频电路；(d)经过10min降温至200℃时取出经上述回复处理的GaN材料。