[发明专利]I－型锗基笼形物单晶的制备方法及填充钡和锶的新单晶无效
| 申请号： | 200610024640.1 | 申请日： | 2006-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101037791A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡克峰;雷强;张留成;张爱霞;贺香荣;严冲 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B9/10 | 分类号： | C30B9/10;C22C28/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;钱春新 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及I－型锗基笼形物单晶热电材料及其制备方法技术领域。本发明所述的I－型锗基笼形物单晶的制备方法，该方法是采用助熔剂法，首先称量锗、镓和碱金属(或碱土金属)放置于大刚玉坩埚中，然后用小刚玉坩埚倒置在大刚玉坩埚上，将大小刚玉坩埚之间形成的凹槽加以密封，最后将两个刚玉坩埚一起置于惰性气体保护下制备单晶。我们在用Ga作助熔剂制备单晶时省去了常用的不锈钢容器，因此更加简单易行，成本也更低。用此方法还合成了填充钡的I－型锗基笼形物为核填充锶的I－型锗基笼形物为壳的复合新单晶，这种新单晶内含复杂的界面：内核/过渡层/外层，这种界面对声子的传输会发生散射从而可降低热导率，因此具有比Sr8Ga16Ge30和Ba8Ga16Ge30更好的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 型锗基笼形物单晶 制备 方法 填充 新单晶 | ||
【主权项】：
1、一种I-型锗基笼形物单晶的制备方法，该方法是采用助熔剂法，其特征在于：首先称量锗、镓和碱金属(或碱土金属)放置于大刚玉坩埚中，然后用小刚玉坩埚倒置在大刚玉坩埚上，将大小刚玉坩埚之间形成的凹槽加以密封，最后将两个刚玉坩埚一起置于惰性气体保护下制备单晶。
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