[发明专利]临界尺寸均匀性补偿方法无效
| 申请号： | 200610024871.2 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101042527A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王谨恒;邓泽希 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的CD均匀性补偿方法在制造掩膜时利用测试晶片上的CD参数值与版图设计需要的目标CD参数值进行对比，通过运算得到偏差值，将偏差值再与目标CD进行相加运算，得到在实际掩膜上的CD参数值的补偿值，从而将实际光刻工艺之前光学系统在晶片上产生的CD均匀性误差，在掩膜制造阶段进行补偿。掩膜图形转移到晶片上的时候，由于掩膜上的CD均匀性针对曝光系统的特性已经进行了补偿，因此在实际晶片上的中央区域和边缘区域得到了补偿后的CD值，使得CD均匀性得到了改善和提高。 | ||
| 搜索关键词： | 临界 尺寸 均匀 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高临界尺寸均匀性的方法包括：在测试晶片上涂布光致抗蚀剂层；在测试掩膜上形成测试图形；将所述测试图形转移到测试晶片上；计算实际掩膜制造时所需的掩膜CD补偿值。
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