[发明专利]一种新型热释电红外探测器及其使用的复合薄膜探测元无效
申请号: | 200610024920.2 | 申请日: | 2006-03-21 |
公开(公告)号: | CN101043065A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 姚熹;李于利;张良莹 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01L37/02 | 分类号: | H01L37/02;G01J5/10 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟;钱春新 |
地址: | 200092上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种结合化学方法和物理方法制备的复合薄膜热释电红外探测器的探测元技术领域。本发明所述的热释电红外探测器的探测元是以单晶硅或与二氧化硅的复合体为衬底,多孔二氧化硅薄膜为热绝缘层,致密二氧化硅薄膜为过渡层,铂为底电极,LNO薄膜为下吸收层和缓冲层,钛酸铅铁电薄膜为热释电材料,金为上电极,LNO为上吸收层。本发明中的热释电红外探测器可以较多的吸收红外辐射,具有较小的热损失,从而红外能量能够最大程度的被热释电薄膜利用,而且LNO缓冲层提高了PT的电学性能,使得探测器具有优异的性能。另外,用溶胶-凝胶法合成薄膜微区组分均匀性高,工艺过程温度低,易于大面积成膜,不需要真空设备,成本低,而且与硅集成工艺兼容。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 热释电 红外探测器 及其 使用 复合 薄膜 探测 | ||
【主权项】:
1、一种热释电红外探测器的探测元,其特征在于:是以单晶硅或与二氧化硅的复合体为衬底,多孔二氧化硅薄膜为热绝缘层,致密二氧化硅薄膜为过渡层,铂为底电极,LNO薄膜为下吸收层和缓冲层,钛酸铅铁电薄膜为热释电材料,金为上电极,LNO为上吸收层。
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