[发明专利]氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法无效
| 申请号： | 200610025074.6 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1844488A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 徐家跃;李新华;申慧;钱国兴;罗丽庆;武安华;林雅芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶瓷管内，在下降炉中加热熔化原料；待原料完全熔化后，通入气体或水并开始以小于2mm/h速率下降坩埚，待全部熔体凝固并冷却到室温后，可获得所需的ZnO单晶。本方法的特点在于，坩埚底部通入气体使坩埚局部过冷并快速形成晶核，从而能够生长出大尺寸ZnO晶体。本方法工艺设备简单，操作方便，可一炉生长多个晶体，有利于实现晶体生长的工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 通气 坩埚 下降 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法，包括原料配比、合成与压块、诱导成核、垂直温度梯度设计等内容，其特征在于：(1)将4N的ZnO和2N的PbF2助熔剂按12～50和88～50的摩尔百分比称量配料并均匀混合；(2)将步骤(1)配比的混合料压块或者压成致密的圆片，然后放入贵金属坩埚内，点焊密封坩埚；(3)坩埚置于具有通气或通水系统的保温陶瓷引下管内，然后放入下降炉中，升温熔化原料，炉温控制在1100～1350℃，生长界面温度梯度约为30～150℃/cm，坩埚底部通入气体或水形成局部急冷区，坩埚下降速率为0.3～2mm/h。
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