[发明专利]一种在硅表面嫁接有机分子的方法无效

专利信息
申请号: 200610025278.X 申请日: 2006-03-30
公开(公告)号: CN1825652A 公开(公告)日: 2006-08-30
发明(设计)人: 戴郁菁;韦玮;黄维 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/56
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是使用一种新型的有机分子作为桥梁分子用于硅表面嫁接有机分子以实现硅表面改性的方法。这种新型的有机分子是在有机合成和高分子合成中常用的异氰酸酯分子。通过硅表面和异氰酸酯分子中一端的共价键联,再利用异氰酸酯另一端的亲有机官能团和经过修饰的有机分子进行反应,从而在硅表面上嫁接有机分子,形成无机半导体材料和有机材料的杂化。该方法为硅表面利用有机分子修饰提供了新的途径和更利于反应进行的方法。该方法及相关材料可以适用于诸如薄膜晶体管、电致发光、生物传感、化学检测等器件。
搜索关键词: 一种 表面 嫁接 有机 分子 方法
【主权项】:
1、一种在硅表面嫁接有机分子的方法,其特征在于将经过清洗的硅晶片,通过化学反应或者等离子体技术处理,在表面形成硅—羟基;利用异氰酸酯分子的异氰酸酯基团与硅表面羟基反应,将异氰酸酯分子嫁接到硅表面上;再利用异氰酸酯末端的亲有机官能团的反应活性与经过修饰的有机分子反应,在硅表面上嫁接上有机分子。
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