[发明专利]一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法无效
| 申请号： | 200610025630.X | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1831190A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 胡正军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/40;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201203上海市张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法，在集成电路制造工艺中，完成对金属的刻蚀后，采用等离子体辅助化学气相淀积的方法在刻蚀表面淀积一层二氧化硅，最后再进行高密度等离子体淀积。本发明通过引入淀积薄层介质来减少高密度等离子体化学气相沉积过程中对金属的损伤，以四乙基原硅酸盐为前驱体用等离子体辅助化学气相淀积制备二氧化硅层，具有良好的侧壁覆盖性，从而对金属提供更好的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 高密度 等离子体 化学 沉积 金属 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法，其特征在于：在集成电路制造工艺中，完成对金属的刻蚀后，采用等离子体辅助化学气相淀积的方法在刻蚀表面淀积一层二氧化硅，最后再进行高密度等离子体淀积。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
