[发明专利]一种在使用氟硅玻璃制造工艺中防止氟扩散的方法无效
| 申请号： | 200610025633.3 | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1844003A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 |
| 主分类号： | C03C21/00 | 分类号： | C03C21/00;C03C15/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201203上海市张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在使用氟硅玻璃制造工艺中防止氟扩散的方法，在完成大马士革金属导线结构制造后，对氟硅玻璃介质使用1～5次等离子体处理，降低氟硅玻璃低介电材料的表面氟浓度，随后淀积抑制氟扩散的保护层，最后刻蚀底部阻挡层，完成大马士革结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 玻璃 制造 工艺 防止 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在使用氟硅玻璃制造工艺中防止氟扩散的方法，其特征在于：在完成大马士革金属导线结构制造后，对氟硅玻璃介质使用1～5次等离子体处理，降低氟硅玻璃低介电材料的表面氟浓度，随后淀积抑制氟扩散的保护层，最后刻蚀底部阻挡层，完成大马士革结构。
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