[发明专利]水溶性四氧化三钴纳米晶体的控温控压微波合成方法无效
| 申请号： | 200610025665.3 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1837066A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 任吉存;李良 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种水溶性四氧化三钴纳米晶体的控温控压微波合成方法，以水为溶剂，将钴盐溶于水，加入水溶性的巯基化合物作为稳定剂，控制钴离子与水溶性的巯基化合物的摩尔比为1∶10至1∶1，调节溶液pH值至5－12，得到前体溶液。然后将此前体溶液置于密闭的聚四氟乙烯罐中，在可控温和可控压的微波反应器中反应，迅速合成四氧化三钴纳米晶体。本发明方法操作简单，条件温和，成本低，合成产物四氧化三钴纳米晶体具有水溶性好，尺度分布均一，大小可调，结晶度高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 水溶性 氧化 纳米 晶体 温控 微波 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种水溶性四氧化三钴纳米晶体的控温控压微波合成方法，其特征在于包括如下步骤：1)反应前体溶液制备：将钴盐溶于水中，钴浓度控制在0.001-1摩尔/升，加入水溶性的巯基化合物作为稳定剂，控制钴离子与水溶性的巯基化合物的摩尔比为1∶10至1∶1，调节溶液pH值至5-12，得到前体溶液；2)微波合成四氧化三钴纳米晶体：将上述前体溶液置于密闭的聚四氟乙烯罐中，在可控温和可控压的微波反应器中反应，生成四氧化三钴纳米晶体；其中，微波加热条件为：微波振荡频率300MHZ～3000MHZ，微波功率50W～1000W，加热时间1分钟～10小时，加热温度50～250摄氏度。
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