[发明专利]基于金属/纳米管复合镀的场发射显示装置阴极制备方法无效
| 申请号： | 200610025668.7 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1832084A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 丁桂甫;吴惠箐;王裕超 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种纳米技术领域的基于金属/纳米管复合镀的场发射显示装置阴极制备方法。本发明工序包括：先对纳米管进行预处理，使其端部开口并纯化；然后通过超声分散或添加分散剂，将纳米管分散在电镀基础镀液中；再运用掩膜电镀的方法在场发射显示装置阴极的指定部位制备金属/纳米管梯度复合薄膜；接着对复合镀层的表层作轻度腐蚀，使得最外层的纳米管有一部分从金属包覆层中释放出来；最后对复合镀层进行清洗，形成表层纳米管一部分裸露、一部分根植于金属基体之中的金属/纳米管复合微结构。本发明能够制备发射效率高，发射电流大，工艺兼容性好，使用寿命长的大面积高分辨率场发射显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 纳米 复合 发射 显示装置 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于金属/纳米管复合镀的场发射显示装置阴极制备方法，其特征在于，具体工序包括：(1)先对纳米管进行预处理，使其端部开口并纯化；(2)然后通过超声分散或添加分散剂，将纳米管分散在电镀基础镀液中；(3)再运用掩膜电镀的方法在场发射显示装置阴极的指定部位制备金属/纳米管复合薄膜，其中，纳米管含量沿薄膜厚度方向呈梯度分布，并在表面层达到最大富集；(4)接着对复合镀层的表层作轻度腐蚀，使得最外层的纳米管有一部分从金属包覆层中释放出来；(5)最后对复合镀层进行清洗，制得金属/纳米管复合薄膜；所述的金属/纳米管复合薄膜中，金属基体是锌、银、铜、镍金属单质或合金，纳米管包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、纳米碳纤维中的至少一种，复合薄膜表层富集纳米管一部分裸露、一部分根植于金属基体之中的金属/纳米管复合微结构，作为场发射显示装置阴极电子发射源使用，场发射电流主要来源于纳米管侧壁发射的电子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610025668.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
