[发明专利]一种高深宽比大孔硅微通道的制作方法

摘要

一种高深宽比大孔硅微通道的制作方法，其制作步骤为：1、电化学过程包括：(1)在衬底上表面淀积掩膜，光刻定义硅片孔的位置；(2)取出清洗，再使用氢氧化钾或四甲基氢氧化铵溶液预腐蚀处理1～3分钟，形成倒四棱台结构时，停止腐蚀；(3)电化学深刻蚀；2、结构保护：对腐蚀出的结构的内壁进行氧化或采用低压化学气相淀积法淀积一层覆盖均匀的保护层；3、背面减薄：背面开窗口，利用KOH或TMAOH腐蚀，直到与刻蚀的深槽结构相遇；4、超声波分离：停止腐蚀，预处理后，在超声波中，上下方向轻轻搅拌实施分离，制得大孔硅微通道。利用本发明所阐述的制作方法制作出的大孔硅微通道，可具有易得高深宽比的优点。

主权项

1、一种高深宽比大孔硅微通道的制作方法，其制作步骤为：A、电化学过程即在需要刻蚀的结构四周形成深槽结构，它包括：(1)在衬底上表面淀积掩膜，光刻定义硅片孔的位置；(2)取出清洗，再使用氢氧化钾或十六烷基三甲基溴化铵溶液预腐蚀处理1～3分钟，形成倒四棱台结构时，停止腐蚀，用去离子水冲洗硅片并烘干；(3)电化学深刻蚀：若衬底是n型硅，用40％的氢氟酸、水和无水乙醇的混合溶液作为阳极氧化溶液，对处理后的硅片进行阳极氧化，其电流密度在0.2mA～2mA/cm2之间，温度为20℃，使腐蚀沿着倒四棱台的四个顶角向下刻蚀一定深度，形成小孔的微通道结构；若衬底为p型硅，用40％的氢氟酸、水和二甲基甲酰胺的混和溶液作为阳极氧化溶液，对经过处理后的硅片进行阳极氧化，其阳极氧化电流控制在0.5mA～10mA/cm2之间，腐蚀在0℃～25℃温度之间进行，使腐蚀沿着倒四棱台的四个顶角向下刻蚀一定深度，形成小孔的微通道结构；B、结构保护对腐蚀出的结构的内壁进行氧化或采用低压化学气相淀积法淀积一层覆盖均匀的保护层；C、背面减薄背面开窗口，利用氢氧化钾或十六烷基三甲基溴化铵溶液腐蚀，直到与刻蚀的深槽结构相遇；D、超声波分离停止腐蚀，并进行相应的预处理；然后在超声波中，上下方向轻轻搅拌实施分离，制得大孔硅微通道。