[发明专利]二氧化硅晶体表面复合增透膜的镀制方法无效

专利信息
申请号: 200610025928.0 申请日: 2006-04-21
公开(公告)号: CN1843999A 公开(公告)日: 2006-10-11
发明(设计)人: 刘瑞军;唐永兴;朱健强 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种二氧化硅晶体表面复合增透膜的镀制方法,其特征在于该方法是采用溶胶凝胶过程,以正硅酸乙酯为前驱体,分别以盐酸和氨水为催化剂,制备出酸式/碱式镀膜液,用这两种镀膜液,采用提拉镀膜法,在二氧化硅晶体表面涂制了双层复合膜系,经高温固化后在二氧化硅晶体表面制成两层复合增透膜。本发明镀制的双层增透膜除了具有非常高的激光破坏阈值,在波长1054nm,脉冲宽度1ns条件下,超过30J/cm2,还在较宽的波段范围内450nm~1100nm具有较高的光学透过率,且峰值透过率可以采用改变镀膜液浓度配比及提拉速度线性连续调节。
搜索关键词: 二氧化硅 晶体 表面 复合 增透膜 方法
【主权项】:
1、一种二氧化硅晶体表面复合增透膜的镀制方法,其特征在于该方法是采用溶胶凝胶过程,以正硅酸乙酯为前驱体,分别以盐酸和氨水为催化剂,制备出酸式/碱式镀膜液,用这两种镀膜液,采用提拉镀膜法,经高温固化后在二氧化硅晶体表面制成了双层复合膜系。
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